罗姆第4代SiC MOSFET用于纯电动汽车

全球出名半导体系体例造商罗姆（总部位于日本京都会）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先辈的汽车零部件造造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日立安斯泰莫”）用于其纯电动汽车（以下简称“EV”）的逆变器。

在全球实现无碳社会的勤奋中，汽车的电动化历程加速，在那种布景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路。尤其是在EV范畴，为了耽误续航里程并减小车载电池的尺寸，进步阐扬驱动核心感化的逆变器的效率已成为一个重要课题，业内对碳化硅功率元器件寄予厚望。

罗姆自2010年在全球率先起头量产SiC MOSFET以来，在SiC功率元器件手艺开发方面，始末连结着业界先辈地位。此中，新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受时间，并实现了业界超低的导通电阻。在车载逆变器中接纳该产物时，与利用IGBT时比拟，电耗能够削减6%（按国际尺度“WLTC燃料消耗量测试”计算），十分有助于耽误电动汽车的续航里程。

日立安斯泰莫多年来不断努力于汽车用电机和逆变器相关的先辈手艺开发，而且已经为日益普及的EV供给了大量的产物，在该范畴拥有骄人的市场业绩。此次，为了进一步进步逆变器的性能，日立安斯泰莫初次在主驱逆变器的电路中接纳了SiC功率器件，并方案从2025年起，依次向包罗日本汽车造造商在内的全球汽车造造商供给响应的逆变器产物。

将来，罗姆将做为SiC功率元器件的领军企业，不竭强大产物阵容，并连系可以更大限度地激发元器件性能的控造IC等外围元器件手艺优势，持续供给有助于汽车手艺立异的电源处理计划。