背照式CMOS和堆栈式CMOS有什么区别？

背照式CMOS指的是CMOS图像传感器的一种设计形式，其特征是将光线直接投射在芯片的背面，与普通CMOS相比，其可以减少光学元件带来的光能缺失，提高了传感器的灵敏度和动态领域，适用于低光环境下的高要求图像拍摄。在背照式CMOS中，光线通过芯片衬底进进像素区域，从而使得感光区域与韧带占比更大，可以更足够地感受到光线的能量。

堆栈式CMOS与背照式CMOS一样，也是一种新型的CMOS传感器设计形式。它摘用了立体堆栈的方式，将感光元件和信号处理元件分别放在两个独立的芯片层中，通过金属焊点连接，从而实现更高的像素密度和更快的信号处理速度。堆栈式CMOS相比传统的单层设计，不仅可以减少元件之间的相互影响，减少信号骚乱，还可以更好地平衡像素数量和感光区域的占比，提高图像质量。

两者之间的主要区别在于设计上的不同，背照式CMOS是通过在传感器背面增加衬底工艺来提高传感器的性能，而堆栈式CMOS则是通过在芯片层面进行堆栈设计来实现更高像素密度和信号处理速度的提升。需要依据不同的使用场景抉择不同的设计方式。

结论：背照式CMOS和堆栈式CMOS是两种不同的CMOS传感器设计形式，前者在传感器背面增加衬底工艺，提高传感器的性能，后者则摘用堆栈式设计，实现更高像素密度和信号处理速度的提升。