场效应管10n60参数？_魅族魅蓝10参数
场效应管10n60参数？
10N60 ：N沟道MOSFET功率，10A 600V。
10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V，电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。1. 场效应管cs8n60用10n60型号管子代换。2. 场效应管cs8n60参数：8n60，7.5A，600V，RDS=1.2欧。10n60参数：10A，600V，RDS=0.73欧。