东芝闪存命名规则？

东芝（Toshiba）是一家日本跨国电子公司，其产品线包括硬盘、内存、显卡等。对于闪存，东芝有多个不同的命名规则，具体如下：，，1. T：用于技术规格，表示此型号闪存为高容量版本。，，2. S：用于经济规格，表示此型号闪存为低容量版本。，，3. R：用于生产序列号，表示此型号闪存在不同生产线上制造的产品。，，4. A：用于特殊用途，如用于游戏或存储大量数据等。，，5. K：用于不常见的颜色，如黑色。，，6. E：用于电池寿命，表示闪存可以存储更多数据以达到更长的电池续航时间。，，以上就是东芝对闪存的一些命名规则。这些规则可以帮助消费者了解和选择最适合自己的闪存产品。

第一代（2013年1月）：24nm制程，接口协议：UFS1.1，HS-G2 1-Lane（2.9Gbps）

第二代（2014年4月）：19nm制程，接口协议：UFS2.0，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps）

第三代（2015年12月前*）：15nm制程，接口协议：UFS2.0，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps）

第四代（2016年3月前*）：15nm制程，接口协议：UFS2.0，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps）

第五代（2016年10月）：15nm制程，接口协议：UFS2.1，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps）

东芝如何布局5-Bit-per-Cell Flash SSD？

近日召开的国际闪存技术峰会(Flash Memory Summit)上，东芝公布的内容干货满满，不仅凭借着最新推出的XFMExpress标准赢得了今年的“Best of Show”（展会最佳）大奖，还公布了诸多业内领先的前沿存储技术。

东芝正在拥抱PCIe 4.0和诸多新的存储技术，包括全新的PCIe 4.0 NVMe固态硬盘，发布了XL-Flash Storage Class Memory (SCM)，提供native NVMe over fabrics (NVMe-oF)的以太网固态硬盘等等，甚至在展会上，东芝还提及了即将到来的BiCS FLASH，包括五层单元（PLC）NAND开发。

相比较其他类型的闪存来说，QLC运行速度较慢且耐用性低，而PLC具备更低的耐用性和更慢的性能，不过新的NVMe协议功能（如分区命名空间（ZNS））应有助于缓解某些问题。 ZNS本身旨在减少写入放大，减少对媒体过度配置和内部控制器DRAM使用的需求，还可以提高吞吐量和降低延迟。

不过要做到这点，每个单元需要存储32个不同的电压级别，而且固态硬盘主控需要能够准确读取他们，而如此多的电压水平和纳米规模，因此新的技术非常具有挑战性，为了控制更严格的阈值，公司必须开发一些可能适应其当前TLC和QLC以提高性能的额外流程。

目前公司已经着手Penta-level五层单元（PLC）NAND闪存的研究工作，并通过优化当前QLC NAND来验证five-bit per cell NAND，新闪存提供更高的密度，每个单元可以存储5位，目前的QLC只能存储4位。

不过要做到这点，每个单元需要存储32个不同的电压级别，而且固态硬盘主控需要能够准确读取他们，而如此多的电压水平和纳米规模，因此新的技术非常具有挑战性，为了控制更严格的阈值，公司必须开发一些可能适应其当前TLC和QLC以提高性能的额外流程。

相比较其他类型的闪存来说，QLC运行速度较慢且耐用性低，而PLC具备更低的耐用性和更慢的性能，不过新的NVMe协议功能（如分区命名空间（ZNS））应有助于缓解某些问题。 ZNS本身旨在减少写入放大，减少对媒体过度配置和内部控制器DRAM使用的需求，还可以提高吞吐量和降低延迟。

东芝还开发了新的生产工艺，可以提高各种形式的下一代BiCS FLASH的芯片密度，它基本上将存储单元分成两半以扩大规模，同时保留常规的3D闪存过程，东芝目前还不确定这种方法是否完全可行。

目前东芝还没有发布具体的五年后发布的产品信息。