手机散热系统排名？
手机散热系统是影响设备性能的重要因素之一。近年来，随着智能手机市场竞争激烈和用户需求多样化，手机散热系统的设计、研发和技术升级也变得越来越重要。，，目前市场上主要有两种主流的手机散热技术：水冷散热系统和风冷散热系统。水冷散热系统利用液态冷却剂在电脑机箱内部循环流动来提高散热效率；而风冷散热系统则是通过外部风扇将空气强制送到机箱内部，降低温度。还有中低温散热系统等新型散热技术。如何选择适合自己的手机散热系统，需要考虑品牌、价格等因素，以保证设备的稳定运行。
手机散热系统排名？
第一名：苹果A16
2*3.46Ghz高性能核心+4*2.02Ghz低功耗核心 5核心GPUL2缓存 采用台积电N4工艺制造的700Mhz，16核心APU芯片。
代表机型：iPhone 14 pro
智能岛设计，4800万像素，主摄像头，A16处理器的强大性能，iOS16的软实力，使iPhone 14 pro仍然是世界上最好的综合体验手机，也许真的没有手机。参考价格为7999。
第二名:苹果A15
新Soc提供了更强的性能和电池寿命。在Geeekbench A15基准测试 Bionic的单核性能分为1721和4865。即使在低功耗模式下，A15 Bionic也表现不错。
代表机型：iPhone 13 pro
外观水平很好，远峰蓝小清新非常耐用。高刷很酷，这是苹果第一次使用高刷屏幕，屏幕透明，电池寿命很好。非max可以排名第一。6G存储感觉很好，很少被杀在后台。体验比8GAndroid要好得多。参考价格为7120美元。
第三名:骁龙8+Gen1
台积电第一代4nm工艺技术，采用八核处理器，配备 Adreno 730 GPU，它能快速渲染图形，提供实时翻译、语音命令、虚拟支付等功能，使手机成为真正的智能手机。
代表型：小米12s ultra
小米的手机配备了顶级的，主要的图像，非常强大的照片，真正的1英寸底部，索尼IMX989主摄像头传感器，与莱卡双生图像质量，成像效果非常好。参考价格为5999美元。
第四名:天竺90000
采用目前最先进的台积电4纳米工艺，共有8个CPU核心。在这些核心中，ARM用于“超大核” Cortex-X2核心架构，最高主频3.05GHz；还有三个性能大核加持，Arm Cortex-A710核心架构，主频可达2.85GHz。剩下的四个核心是能效核心，主频为1.8GHz，与此同时，联发科为天玑9000配备了8MB。 L3＋6MB 为了提高性能稳定性，SLC缓存。
代表型：红米K50 pro
天机9000处理器，大面积散热，三星2K+屏幕，1亿像素+光学防抖，120W快速充电，简直就是中端水桶机。参考价3599。
第五名：苹果A14
A14芯片。采用5nm芯片工艺。A14 CPU采用6核设计，新的4核GPU比竞争对手快50%。它有18亿个晶体管，比A13多近40% 。
代表机型：iPhone 12
机身很轻，重量只有162克。OLED屏幕，分辨率大大提高。A14的性能比最新的骁龙8要好得多。参考价格为4899
RRAM最近怎么没有消息？
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一篇文章阅读RRAM，为什么说它最有希望取代DRAM？
2017-12-12 11:02:06 来源：在线存储
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RRAMDRAM
最近，一年一度的中国存储峰会如期在北京举行。“数据流击水，海浪遏制飞船”是今年会议的主题。业内嘉宾对中国和全球存储市场的现状和发展趋势进行了深入的解读，充满了干货。
在下午的第三分论坛上，中国计算机协会信息存储专门委员会主任冯丹作为开幕嘉宾发表了主题演讲，即使存储集成的忆阻器的发展趋势和RRAM（阻变存储器）的性能优化方法。冯丹表示，目前的记忆阻器呈现出大容量、计算和存储深度集成的发展趋势，而RRAM容量大、速度快、能耗低。RRAM也被认为是下一代替代DRAM（动态随机存储器）的好选择。
冯丹从三个方面介绍了内存阻器的相关发展。首先是市场需求。IDC预计到2020年，全球数据量将达到40ZB，数据量将强劲。另一方面，它需要存储，包括高性能计算的存储需求和各种网络应用程序。比如12306，春运期间，每天PV操作超过300亿次，每秒访问1.3 GB的数据对内存有很大的需求，包括大数据分析，大规模计算所需的内存容量将是当前的1000倍，内存需求和供应之间存在巨大的差距。
最有希望取代DRAM的忆阻RRAM
目前，DRAM将数据存储在电容器中的电荷量中。电容器必须设计得足够大，以增加保留时间并降低刷新频率，这限制了容量和能耗，难以降低工艺流程。然而，CPU性能增长迅速，内存容量的增长速度远低于CPU性能的增长速度，这通常被称为内存强度问题。此外，随着容量的进一步增加，还存在能耗问题，泄漏功耗进一步增加，40-50%的服务器能耗来自内存，40%的DRAM能耗来自刷新。
ITRS报告指出，DRAM很难在20nm技术结点以下保持可扩展性，当DRAM技术达到几纳米时，DRAM技术将在达到X-nm后停止。冯丹说，与几种存储器相比，包括自旋转移，其中最典型的代表是记忆阻力变化。通过不断的研究和发展，目前的RRAM容量非常大，能耗非常快，所以我也认为RRAM也是下一代替DRAM的好选择。
以RRAM为例，金属氧化物存储器的主要原理是，在低阻状态下，存储器可以切断导线，成为高阻状态，操作时间长，延迟大，同样在这种状态下，加上一定大小的电压，使导线从高阻变为低阻。
RRAM阵列有两种结构，一种是交叉点结构。单晶管单电阻(1T1R)阵列的结构是每个交叉点需要一个访问晶体管独立选择每个单元。但其缺点也很明显，1T1R结构RRAM的总芯片面积取决于晶体管占用的面积，因此存储密度较低。Crosbar结构也备受关注，每个存储单元位于水平字线上（WL）垂直位线（BL）十字路口。每个单元占用的面积为4F²(F是技术特征尺寸)，达到单层阵列的最小理论值。其优点是存储密度高，互联网上存在电压降和潜在电流路径，导致读写性能下降、能耗上升、写作干扰等缺点。很多研究都是围绕这一类展开的。
RRAM最大的缺点是其严重的装置级变化。RRAM装置状态的变化需要在电场驱动下对两端电极施加电压来控制氧离子的漂移和热驱动下的扩散，使导线的三维形状难以调节，再加上噪声的影响，导致装置级变化。装置级变化是制造可靠芯片产品的关键问题。
大容量、计算和存储的深度集成已成为记忆阻器的发展趋势
Crosbar结构的RRAM存储容量大于1T1R结构的RRAM，SLC的性能高于MLC。RRAM原型芯片的存储容量从MB级逐渐发展到GB级，技术结点逐渐缩小，读写性能逐渐提高。与PCRAM和STTT相比，RRAM发展较晚，但与PCRAM和STTT相比，存储容量增长迅速。-MRAM，RRAM在读写带宽方面更有优势。另一方面，基于记忆阻器的神经形态计算系统也在不断发展。由记忆阻器组成的Crosbar阵列可用于加速神经形态计算中常见的矩阵向量乘法。作为一种模拟计算，为了提高计算精度，需要解决Crosbar阵列中连接导线上的电压降和设备变化引起的可靠性问题。计算和存储已经深度集成。
从设备变化的角度来看，记忆阻器的状态变化几乎服从对数的正态分布。在这方面，需要提前测试阵列中的所有记忆阻器，并通过统计其电阻状态分布来获得变化规律。交换权重矩阵的两行或两列，同时交换输入输出向量对应的元素，使较大的突触权重映射到变化较小的记忆阻器中，从而减少网络输出的变化。
当神经网络的计算规模相对较大时，传统的二维系列需要多个阵列来共同计算，能耗增加。采用三维结构后，柱电机在同一平面上，可以降低整个大型神经网络计算的能耗，实现较低的延迟。此外，逻辑预算也可以实现，以满足可变的计算需求。
基于人工智能的神经网络证据操作，当容量不足时，通过在过大容量的存储空间中进行计算，减少数据的移动，可以获得更好的性能。目前，学术界和工业界已经推出了一些相应的样品，但实际产品仍然相对较少。中芯国际与中国科学院微电子研究所合作开发芯片。今年1月，美国Crosbar公司宣布，与中芯国际合作开发的40nm工艺3-D堆叠1Tnr阵列RRAM芯片正式取样。记忆阻器需要一段时间才能真正使用，但趋势是容量大。
如何优化大容量RRAM的性能？
IR泄漏是由于线路电阻和电流泄漏 drop将降低所选单元两端施加的电压值，而Reram单元的RESET延迟与所选单元两端施加的电压值成指数级反比，IR drop将大大增加访问延迟，一般采用半偏置写作机制，以减少电流泄漏。在缓解IR 在drop问题上，双端接地电路设计（DSGB），wordline上的IR减少了 drop，RESET延迟大大降低，8位写的512×512阵列而言，worst-case RESET延迟 240ns下降到682ns 。
对于8位写的1024，采用区域划分的双端写驱动方法×就1024阵列而言，不使用DSWD机制的阵列IR drop严重，RESET延迟指数级增加。bitline上的IRRR减少了DSWD机制 drop，RESET延迟大大降低了512行以上单元的电压。
离开write driver近行在bitline有较小的IR drop，访问延迟也较小；而离开write 根据不同行的不同延迟，driver的远程访问延迟将crosbar阵列划分为快慢区域。在基于有效电流路径的电压偏置方面，选择离目标单元最近的外围电路，改善导线上的电压降，减少写作延迟；块对角区域划分：减少区域内单元访问延迟的差异，减少区域写作延迟，不仅在电路方面，还可以通过编码提高TLC和记忆电阻RAM的性能。
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