东芝闪存颗粒命名规则？

东芝内存颗粒命名通常遵循以下规则：64M、128M、256M、512M、1GB等。“东芝SAP-HD16G”表示16GB容量的东芝固态硬盘。需要注意的是，不同品牌和型号的闪存颗粒名称可能会有所不同。

命名规则：THGAF4G9N4LBAIR（UFS2.1，15nm，MLC）

字符1： T: "Toshiba" 东芝

字符2： H: "Multi-chip" 多芯片封装

字符3： G: "Symbol of Type of flash type" 集成电路

字符4： A: "Symbol of voltage type" 表示供电电压类型

字符5： F: "NAND Interface type is" 闪存接口类型为UFS

字符6： 4: "Unique code of controller revision" 内置控制器版本为4

字符7： G: "Memory density calculated by G bits" 容量用G bits表示

字符8： 9: "Memory density is 2^9=512G bits (64GB)" 2的9次方，512G bits，即64GB

字符9： N: "Symbol of "cell level"" (cell technology) 构架为MLC

字符10： 4: "Number of stacked chips is 4" 封装内含堆叠芯片数为4

字符11： L: "Symbol of "Design rule"" 15nm (K for 19nm, J for 24nm) 制程为15nm

字符12-13： BA: "Package type is BGA lead free and halogen free" 无铅无卤素BGA封装

字符14： I: "Symbol of Mode ""industrial version"" -25ºC to 85ºC" 工业版本

字符15： R: "Symbol of "Package size"" 11.5mm x 13mm x 1.0mm 封装大小

第9个字符与闪存架构有关：

1）SLC（Single-Level Cell）为S或H。

2）DLC（Dua-Level Cell）为D或E【不常见】。

3）TLC（Triple-Level Cell）为T或U。

4）MLC（Multi-Level Cell）为B、C、J、K、L、N 等。